1、设备中的真空管道、静态密封零部件（法兰、密封圈等）的结构形式，应符合GB/T6070的规定。

2、在低真空和高真空管道上及真空镀膜室上应安装真空测量规管，分别测量各部位的真空度。当发现电场对测量造成干扰时，应在测量口处安装电场屏蔽装置。

3、如果设备使用的主泵为扩散泵时，应在泵的进气口一侧装设有捕集冷阱。

4、设备的镀膜室应设有观察窗，应设有挡板装置。观察窗应能观察到沉积源的工作情况以及其他关键部位。

5、离子镀沉积源的设计应尽可能提高镀膜过程中的离化率，提高镀膜材料的利用率，合理匹配沉积源的功率，合理布置沉积源在真空室体的位置。

6、合理布置加热装置，一般加热器结构布局应使被镀工件温升均匀一致。

7、工件架应与真空室体绝缘，工件架的设计应使工件膜层均匀。

8、离子镀膜设备一般应具有工件负偏压和离子轰击电源，离子轰击电源应具有抑制非正常放电装置，以维持工作稳定。

9、真空室接不同电位的各部分间的绝缘电阻值的大小，均按GB/T11164-1999中的4.4.6。

10、其它注意事项